Infineon Technologies FP15R12W1T4_B3 — Модули IGBT
Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 15А
Ток коллектора: 15 А · Корпус: AG-EASY1B-1 · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT
Описание
Infineon Technologies FP15R12W1T4_B3. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — AG-EASY1B-1; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — диод/транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 15 А; Ток коллектора в импульсе — 30А; Рассеиваемая мощность — 130Вт; Электрический монтаж — Press-in PCB.
Механический монтаж — винтами; Технология — EasyPIM™ 1B; Топология — 3-фазный диодный мост; 3-фазный мост IGBT; термистор NTC; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 15 А
- Корпус
- AG-EASY1B-1
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FP15R12W1T4_B3
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
