Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies FF300R12KT3EHOSA1 — Модули IGBT
MPN / артикул: FF300R12KT3EHOSA1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2
Ток коллектора: 300 А · Корпус: AG-62MM-1 · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT
О модели
Описание
Infineon Technologies FF300R12KT3EHOSA1. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — AG-62MM-1; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — общий эмиттер; транзистор/транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 300 А; Ток коллектора в импульсе — 600А; Рассеиваемая мощность — 1,45кВт; Электрический монтаж — винтами; коннекторы FASTON.
Механический монтаж — винтами; Топология — IGBT x2; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул FF300R12KT3EHOSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 300 А
- Корпус
- AG-62MM-1
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FF300R12KT3EHOSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
