Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies FF200R12KT4HOSA1 — Модули IGBT
MPN / артикул: FF200R12KT4HOSA1
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
Ток коллектора: 200 А · Корпус: AG-62MM-1 · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies FF200R12KT4HOSA1. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — AG-62MM-1; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — транзистор/транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 200 А; Ток коллектора в импульсе — 400А; Рассеиваемая мощность — 1,1кВт; Электрический монтаж — винтами.
Механический монтаж — винтами; Топология — полумост IGBT; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул FF200R12KT4HOSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 200 А
- Корпус
- AG-62MM-1
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- FF200R12KT4HOSA1
Материалы
Документация
Техническое описание: FF200R12KT4EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
