Infineon Technologies · Полупроводники

Infineon Technologies FF200R12KE3HOSA1 — Модули IGBT

MPN / артикул: FF200R12KE3HOSA1

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

Производитель автоматикиInfineon Technologies
АртикулFF200R12KE3HOSA1
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток коллектора: 200 А · Корпус: AG-62MM-1 · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT

Фото товара

Infineon Technologies FF200R12KE3HOSA1 — Модули IGBT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.
О модели

Описание

Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ

Перед заказом проверьте артикул FF200R12KE3HOSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Единица продажи
шт
Артикул производителя
FF200R12KE3HOSA1
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.

Подбор по фотоШильдик и описание Загрузить BOMXLS, XLSX, DOCX, CSV