Infineon Technologies
· Интегральные микросхемы
Infineon Technologies CY7C1061G30-10ZSXI — Памяти SRAM параллельные
MPN / артикул: CY7C1061G30-10ZSXI
IC: память SRAM; 16МбSRAM; 1Mx16бит; 2,2÷3,6В; 10нс; TSOP54 II
Тип микросхемы: память SRAM · Монтаж: SMD · Корпус: TSOP54 II · Тип товара: Памяти SRAM параллельные
О модели
Описание
Infineon Technologies CY7C1061G30-10ZSXI. Категория: «Памяти SRAM параллельные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TSOP54 II; Рабочее напряжение — 2,2...3,6В; Тип микросхемы — память SRAM.
Вид памяти — SRAM; Структура памяти — 1Mx16бит; Время доступа — 10нс; Виды интерфейса — параллельный.
Память — 16Мб SRAM.
Перед заказом проверьте артикул CY7C1061G30-10ZSXI, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память SRAM
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TSOP54 II
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- CY7C1061G30-10ZSXI
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
