Infineon Technologies
· Интегральные микросхемы
Infineon Technologies CY14B101Q2-LHXI — Памяти SRAM последовательные
MPN / артикул: CY14B101Q2-LHXI
IC: память SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; DFN8; -40÷85°C; лоток; 40МГц
Частота: 40000000 Гц · Тип микросхемы: память SRAM · Монтаж: SMD · Корпус: DFN8 · Тип товара: Памяти SRAM последовательные
О модели
Описание
Infineon Technologies CY14B101Q2-LHXI. Категория: «Памяти SRAM последовательные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...85°C; Корпус — DFN8; Напряжение питания — 2,7...3,6В DC.
Частота — 40 МГц; Тип микросхемы — память SRAM; Вид памяти — NV SRAM; Структура памяти — 128Кx8бит.
Виды интерфейса — последовательный; Память — 1Мб SRAM.
Перед заказом проверьте артикул CY14B101Q2-LHXI, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Частота
- 40000000 Гц
- Тип микросхемы
- память SRAM
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- DFN8
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- CY14B101Q2-LHXI
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
