Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BSZ100N03MSGATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: BSZ100N03MSGATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; 30Вт; PG-TSDSON-8
Ток стока: 39 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TSDSON-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies BSZ100N03MSGATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 39 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TSDSON-8.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 10мОм; Рассеиваемая мощность — 30Вт; Полярность — полевой.
Технология — OptiMOS™ 3; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул BSZ100N03MSGATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 39 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TSDSON-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSZ100N03MSGATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
