Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BSS670S2LH6327XTSA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: BSS670S2LH6327XTSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 0,54А; 0,36Вт; SOT23
Ток стока: 0,54 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies BSS670S2LH6327XTSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,54 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23.
Напряжение сток-исток — 55В; Сопротивление в открытом состоянии — 0,65Ом; Рассеиваемая мощность — 0,36Вт; Полярность — полевой.
Технология — OptiMOS™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул BSS670S2LH6327XTSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,54 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSS670S2LH6327XTSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
