Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BSS315PH6327XTSA1 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: BSS315PH6327XTSA1
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Монтаж: SMD · Корпус: PG-SOT23 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies BSS315PH6327XTSA1. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-SOT23; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -1,5А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,15Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,5Вт; Полярность — полевой.
Технология — OptiMOS™ P2; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул BSS315PH6327XTSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-SOT23
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSS315PH6327XTSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
