Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BSS225H6327FTSA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: BSS225H6327FTSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,09А; 1Вт; SOT89
Ток стока: 0,09 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT89 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies BSS225H6327FTSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,09 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT89.
Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 45Ом; Рассеиваемая мощность — 1Вт; Полярность — полевой.
Технология — SIPMOS™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул BSS225H6327FTSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,09 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT89
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSS225H6327FTSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
