Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BSS215P H6327 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: BSS215P H6327
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3
Монтаж: SMD · Корпус: SOT23-3 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies BSS215P H6327. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23-3; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -1,5А.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,5Вт; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В.
Перед заказом проверьте артикул BSS215P H6327, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23-3
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSS215P H6327
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
