Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BSS192PH6327FTSA1 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: BSS192PH6327FTSA1
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89
Монтаж: SMD · Корпус: PG-SOT89 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies BSS192PH6327FTSA1. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-SOT89; Напряжение сток-исток — -250В; Ток стока — -0,19А.
Сопротивление в открытом состоянии — 12Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1Вт; Полярность — полевой.
Технология — SIPMOS™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул BSS192PH6327FTSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-SOT89
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSS192PH6327FTSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
