Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BSS169H6327XTSA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: BSS169H6327XTSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,17А; 0,36Вт; SOT23
Ток стока: 0,17 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies BSS169H6327XTSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,17 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 12Ом; Рассеиваемая мощность — 0,36Вт; Полярность — полевой.
Технология — SIPMOS™; Вид канала — обедненный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул BSS169H6327XTSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,17 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSS169H6327XTSA1
Материалы
Документация
Техническое описание: BSS169H6327XTSA1EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
