Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BSS123IXTSA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: BSS123IXTSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,15А; Idm: 0,77А; 0,5Вт; SOT23
Ток стока: 0,15 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies BSS123IXTSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,15 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 10Ом; Рассеиваемая мощность — 0,5Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 0,63нC; Технология — OptiMOS™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — 0,77А.
Перед заказом проверьте артикул BSS123IXTSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,15 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSS123IXTSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
