Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BSR802NL6327HTSA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: BSR802NL6327HTSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,7А; 0,5Вт; SC59
Ток стока: 3,7 А · Монтаж: SMD · Корпус: SC59 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies BSR802NL6327HTSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 3,7 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC59.
Напряжение сток-исток — 20В; Сопротивление в открытом состоянии — 32мОм; Рассеиваемая мощность — 0,5Вт; Полярность — полевой.
Технология — OptiMOS™ 2; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±8В.
Перед заказом проверьте артикул BSR802NL6327HTSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 3,7 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC59
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSR802NL6327HTSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
