Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BSR315PH6327XTSA1 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: BSR315PH6327XTSA1
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,49А; 0,5Вт; SC59
Монтаж: SMD · Корпус: SC59 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies BSR315PH6327XTSA1. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SC59; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -0,49А.
Сопротивление в открытом состоянии — 1,3Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 0,5Вт; Полярность — полевой.
Технология — SIPMOS™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул BSR315PH6327XTSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SC59
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSR315PH6327XTSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
