Infineon Technologies · Полупроводники

Infineon Technologies BSP317P H6327 — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: BSP317P H6327

Транзистор: P-MOSFET; -250В; -430мА; Idm: -1,72А; 1,8Вт; SOT223

Производитель автоматикиInfineon Technologies
АртикулBSP317P H6327
РазделПолупроводники
Единицашт
Фото товара

Infineon Technologies BSP317P H6327 — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.
О модели

Описание

Транзистор: P-MOSFET; -250В; -430мА; Idm: -1,72А; 1,8Вт; SOT223

Перед заказом проверьте артикул BSP317P H6327, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Единица продажи
шт
Артикул производителя
BSP317P H6327
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.

Подбор по фотоШильдик и описание Загрузить BOMXLS, XLSX, DOCX, CSV