Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BSP317P H6327 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: BSP317P H6327
Транзистор: P-MOSFET; -250В; -430мА; Idm: -1,72А; 1,8Вт; SOT223
Монтаж: SMD · Корпус: SOT223 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies BSP317P H6327. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT223; Напряжение сток-исток — -250В; Ток стока — -430мА.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,8Вт; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Ток стока в импульсном режиме — -1,72А.
Перед заказом проверьте артикул BSP317P H6327, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT223
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSP317P H6327
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
