Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BSO303SPHXUMA1 — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: BSO303SPHXUMA1
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,2А; 1,56Вт; PG-DSO-8
Монтаж: SMD · Корпус: PG-DSO-8 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies BSO303SPHXUMA1. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-DSO-8; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -7,2А.
Сопротивление в открытом состоянии — 21мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,56Вт; Полярность — полевой.
Технология — OptiMOS™ P; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул BSO303SPHXUMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-DSO-8
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSO303SPHXUMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
