Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BSL308PEH6327XTSA1 — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: BSL308PEH6327XTSA1
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6; ESD
Монтаж: SMD · Корпус: PG-TSOP-6 · Тип транзистора: P-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies BSL308PEH6327XTSA1. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TSOP-6; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -2А.
Сопротивление в открытом состоянии — 80мОм; Тип транзистора — P-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 0,5Вт; Полярность — полевой.
Версия — ESD; Технология — OptiMOS™ P3; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул BSL308PEH6327XTSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TSOP-6
- Тип транзистора
- P-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSL308PEH6327XTSA1
Материалы
Документация
Техническое описание: BSL308PEH6327XTSA1-DTEEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
