Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BSC265N10LSFGATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: BSC265N10LSFGATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 78Вт; PG-TDSON-8
Ток стока: 40 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TDSON-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies BSC265N10LSFGATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 40 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TDSON-8.
Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 26,5мОм; Рассеиваемая мощность — 78Вт; Полярность — полевой.
Технология — OptiMOS™ 2; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул BSC265N10LSFGATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 40 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TDSON-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSC265N10LSFGATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
