Infineon Technologies BSC100N06LS3GATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 200А; 50Вт; PG-TDSON-8
Ток стока: 36 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TDSON-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Описание
Infineon Technologies BSC100N06LS3GATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 36 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TDSON-8.
Напряжение сток-исток — 60В; Сопротивление в открытом состоянии — 10мОм; Рассеиваемая мощность — 50Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — logic level; Заряд затвора — 45нC; Технология — OptiMOS™ 3; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 200А.
Технические характеристики
- Ток стока
- 36 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TDSON-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSC100N06LS3GATMA1
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
