Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BSC080N03MSGATMA1 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: BSC080N03MSGATMA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 53А; 35Вт; PG-TDSON-8
Ток стока: 53 А · Монтаж: SMD · Корпус: PG-TDSON-8 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies BSC080N03MSGATMA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 53 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — PG-TDSON-8.
Напряжение сток-исток — 30В; Сопротивление в открытом состоянии — 8мОм; Рассеиваемая мощность — 35Вт; Полярность — полевой.
Технология — OptiMOS™ 3; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул BSC080N03MSGATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 53 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- PG-TDSON-8
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BSC080N03MSGATMA1
Материалы
Документация
Техническое описание: BSC080N03MSG-DTEEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
