Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BFP650H6327 — Транзисторы NPN SMD
MPN / артикул: BFP650H6327
Транзистор: NPN; SiGe: C; биполярный; RF; 13В; 0,15А; 0,5Вт; SOT343
Ток коллектора: 0,15 А · Частота: 42000000000 Гц · Монтаж: SMD · Корпус: SOT343 · Тип транзистора: NPN · Тип товара: Транзисторы NPN SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies BFP650H6327 — транзистор.
Тип транзистора — NPN; Ток коллектора — 0,15 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT343.
Напряжение коллектор-эмиттер — 13В; Рассеиваемая мощность — 0,5Вт; Полярность — биполярный; Технология — SiGe:C.
Вид транзистора — RF.
Перед заказом проверьте артикул BFP650H6327, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 0,15 А
- Частота
- 42000000000 Гц
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT343
- Тип транзистора
- NPN
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BFP650H6327
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
