Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BFP640H6327XTSA1 — Транзисторы NPN SMD
MPN / артикул: BFP640H6327XTSA1
Транзистор: NPN; SiGe: C; биполярный; RF; 4,1В; 50мА; 0,2Вт; SOT343
Ток коллектора: 0,05 А · Частота: 42000000000 Гц · Монтаж: SMD · Корпус: SOT343 · Тип транзистора: NPN · Тип товара: Транзисторы NPN SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
Infineon Technologies BFP640H6327XTSA1 — транзистор.
Тип транзистора — NPN; Ток коллектора — 0,05 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT343.
Напряжение коллектор-эмиттер — 4,1В; Коэффициент усиления по току — 110...270; Рассеиваемая мощность — 0,2Вт; Полярность — биполярный.
Технология — SiGe:C; Вид транзистора — RF.
Перед заказом проверьте артикул BFP640H6327XTSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 0,05 А
- Частота
- 42000000000 Гц
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT343
- Тип транзистора
- NPN
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BFP640H6327XTSA1
Материалы
Документация
Техническое описание: Infineon-BFP640-DS-v03 00-ENEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
