Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies BCR112E6327HTSA1 — Транзисторы NPN SMD
MPN / артикул: BCR112E6327HTSA1
Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SOT23; R1: 4,7кОм
Ток коллектора: 0,1 А · Частота: 140000000 Гц · Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: NPN · Тип товара: Транзисторы NPN SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies BCR112E6327HTSA1 — транзистор.
Тип транзистора — NPN; Ток коллектора — 0,1 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23.
Напряжение коллектор-эмиттер — 50В; Рассеиваемая мощность — 0,2Вт; Полярность — биполярный; Вид транзистора — BRT.
резистор базы — 4,7кОм; резистор эмиттер - база — 4,7кОм.
Перед заказом проверьте артикул BCR112E6327HTSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 0,1 А
- Частота
- 140000000 Гц
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Тип транзистора
- NPN
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- BCR112E6327HTSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
