Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies AIMW120R045M1XKSA1 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: AIMW120R045M1XKSA1
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 36А; Idm: 130А; 114Вт
Ток стока: 36 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
Infineon Technologies AIMW120R045M1XKSA1 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 36 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247.
Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 75мОм; Рассеиваемая мощность — 114Вт; Полярность — полевой.
Технология — CoolSiC™; SiC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — -7...20В; Ток стока в импульсном режиме — 130А.
Перед заказом проверьте артикул AIMW120R045M1XKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 36 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- AIMW120R045M1XKSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
