Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies AIGB50N65F5ATMA1 — Транзисторы IGBT SMD
MPN / артикул: AIGB50N65F5ATMA1
Транзистор: IGBT; 650В; 80А; 305Вт; D2PAK
Ток коллектора: 80 А · Монтаж: SMD · Корпус: D2PAK · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT SMD
О модели
Описание
Infineon Technologies AIGB50N65F5ATMA1. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 650В; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 80 А; Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 305Вт.
Перед заказом проверьте артикул AIGB50N65F5ATMA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 80 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- AIGB50N65F5ATMA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
