О модели
Описание
HUAJING HFGM200D12V3. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — V3 62MM; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — транзистор/транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±30В.
Ток коллектора — 200 А; Ток коллектора в импульсе — 400А; Электрический монтаж — винтами; коннекторы FASTON; Механический монтаж — винтами.
Технология — PT; Топология — полумост IGBT; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул HFGM200D12V3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 200 А
- Корпус
- V3 62MM
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- HFGM200D12V3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
