GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR GT6K2P10KH — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: GT6K2P10KH
Транзистор: P-MOSFET; SGT; полевой; -100В; -4,3А; 25Вт; TO252
Монтаж: SMD · Корпус: TO252 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR GT6K2P10KH. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO252; Напряжение сток-исток — -100В; Ток стока — -4,3А.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 25Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 10нC.
Технология — SGT; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул GT6K2P10KH, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO252
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- GT6K2P10KH
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
