GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR GT2K6P15T — Транзисторы с каналом P THT
MPN / артикул: GT2K6P15T
Транзистор: P-MOSFET; SGT; полевой; -150В; -11А; 58Вт; TO220
Монтаж: THT · Корпус: TO220 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P THT
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR GT2K6P15T. Категория: «Транзисторы с каналом P THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220; Напряжение сток-исток — -150В; Ток стока — -11А.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 58Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 28нC.
Технология — SGT; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул GT2K6P15T, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- GT2K6P15T
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
