GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR GT10N10 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: GT10N10
Транзистор: N-MOSFET; SGT; полевой; 100В; 9А; 23Вт; TO252
Ток стока: 9 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR GT10N10 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 9 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO252.
Напряжение сток-исток — 100В; Рассеиваемая мощность — 23Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 5нC.
Технология — SGT; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул GT10N10, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 9 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- GT10N10
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
