GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR GT045N10M — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: GT045N10M
Транзистор: N-MOSFET; SGT; полевой; 100В; 120А; 180Вт; TO263
Ток стока: 120 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR GT045N10M — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 120 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263.
Напряжение сток-исток — 100В; Рассеиваемая мощность — 180Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 81нC.
Технология — SGT; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул GT045N10M, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 120 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- GT045N10M
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
