GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR GC11N65M — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: GC11N65M
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; полевой; 650В; 11А; 78Вт; TO263
Ток стока: 11 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR GC11N65M — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 11 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263.
Напряжение сток-исток — 650В; Рассеиваемая мощность — 78Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 21нC.
Технология — SJ-MOSFET; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В.
Перед заказом проверьте артикул GC11N65M, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 11 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- GC11N65M
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
