GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G800N06H — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: G800N06H
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 3А; 1,2Вт; SOT223
Ток стока: 3 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT223 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G800N06H — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 3 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT223.
Напряжение сток-исток — 60В; Рассеиваемая мощность — 1,2Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 6нC.
Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул G800N06H, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 3 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT223
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G800N06H
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
