GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G6N02L — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: G6N02L
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 20В; 6А; 1Вт; SOT23
Ток стока: 6 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G6N02L — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 6 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23.
Напряжение сток-исток — 20В; Рассеиваемая мощность — 1Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 12,5нC.
Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В.
Перед заказом проверьте артикул G6N02L, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 6 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G6N02L
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
