GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G3K8N15HE — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: G3K8N15HE
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 150В; 2А; 2,16Вт; SOT223; ESD
Ток стока: 2 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT223 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G3K8N15HE — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 2 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT223.
Напряжение сток-исток — 150В; Рассеиваемая мощность — 2,16Вт; Полярность — полевой; Версия — ESD.
Заряд затвора — 20нC; Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул G3K8N15HE, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 2 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT223
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G3K8N15HE
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
