GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G2K3N10L6 — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: G2K3N10L6
Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 100В; 3А; 1,67Вт; SOT23-6
Ток стока: 3 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT23-6 · Тип транзистора: N-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G2K3N10L6. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23-6; Напряжение сток-исток — 100В; Ток стока — 3 А.
Тип транзистора — N-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 1,67Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 22нC.
Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул G2K3N10L6, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 3 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23-6
- Тип транзистора
- N-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G2K3N10L6
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
