GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G2K2P10S2E — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: G2K2P10S2E
Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -100В; -3,5А; 3,1Вт; SOP8
Монтаж: SMD · Корпус: SOP8 · Тип транзистора: P-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G2K2P10S2E. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOP8; Напряжение сток-исток — -100В; Ток стока — -3,5А.
Тип транзистора — P-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 3,1Вт; Полярность — полевой; Версия — ESD.
Заряд затвора — 23нC; Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул G2K2P10S2E, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOP8
- Тип транзистора
- P-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G2K2P10S2E
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
