GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G250N03IE — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: G250N03IE
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 5,3А; 1,4Вт; SOT23; ESD
Ток стока: 5,3 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G250N03IE — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 5,3 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23.
Напряжение сток-исток — 30В; Рассеиваемая мощность — 1,4Вт; Полярность — полевой; Версия — ESD.
Заряд затвора — 14нC; Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±10В.
Перед заказом проверьте артикул G250N03IE, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 5,3 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G250N03IE
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
