GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G1NP02LLE — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: G1NP02LLE
Транзистор: N/P-MOSFET; Trench; полевой; 20/-20В; 1,3/-1,1А; ESD
Монтаж: SMD · Корпус: SOT23-6 · Тип транзистора: N/P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G1NP02LLE. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23-6; Напряжение сток-исток — 20/-20В; Ток стока — 1,3/-1,1А.
Тип транзистора — N/P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,25/1,25Вт; Полярность — полевой; Версия — ESD.
Заряд затвора — 1/1,22нC; Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±10В.
Перед заказом проверьте артикул G1NP02LLE, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23-6
- Тип транзистора
- N/P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G1NP02LLE
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
