GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G1K3N10LL — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: G1K3N10LL
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 100В; 3,4А; 2,28Вт; SOT23-6
Ток стока: 3,4 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT23-6 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G1K3N10LL — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 3,4 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23-6.
Напряжение сток-исток — 100В; Рассеиваемая мощность — 2,28Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 22нC.
Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул G1K3N10LL, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 3,4 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23-6
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G1K3N10LL
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
