GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G1K3N10G — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: G1K3N10G
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 100В; 5А; 1,6Вт; SOT89
Ток стока: 5 А · Монтаж: SMD · Корпус: SOT89 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G1K3N10G — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 5 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT89.
Напряжение сток-исток — 100В; Рассеиваемая мощность — 1,6Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 19нC.
Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул G1K3N10G, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 5 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT89
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G1K3N10G
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
