GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G1K1P06SH — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: G1K1P06SH
Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -4А; 1,2Вт; SOP8
Монтаж: SMD · Корпус: SOP8 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G1K1P06SH. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOP8; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -4А.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 1,2Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 16нC.
Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул G1K1P06SH, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOP8
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G1K1P06SH
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
