GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G170P03S2 — Транзисторы многоканальные
MPN / артикул: G170P03S2
Транзистор: P-MOSFET x2; Trench; полевой; -30В; -11А; 2,5Вт; SOP8
Монтаж: SMD · Корпус: SOP8 · Тип транзистора: P-MOSFET x2 · Тип товара: Транзисторы многоканальные
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G170P03S2. Категория: «Транзисторы многоканальные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOP8; Напряжение сток-исток — -30В; Ток стока — -11А.
Тип транзистора — P-MOSFET x2; Рассеиваемая мощность — 2,5Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 40нC.
Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул G170P03S2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOP8
- Тип транзистора
- P-MOSFET x2
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G170P03S2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
