GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G12P10TE — Транзисторы с каналом P THT
MPN / артикул: G12P10TE
Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -100В; -12А; 44,6Вт; TO220
Монтаж: THT · Корпус: TO220 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P THT
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G12P10TE. Категория: «Транзисторы с каналом P THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220; Напряжение сток-исток — -100В; Ток стока — -12А.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 44,6Вт; Полярность — полевой; Версия — ESD.
Заряд затвора — 33нC; Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул G12P10TE, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G12P10TE
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
