GOFORD SEMICONDUCTOR · Полупроводники

GOFORD SEMICONDUCTOR G12P10TE — Транзисторы с каналом P THT

MPN / артикул: G12P10TE

Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -100В; -12А; 44,6Вт; TO220

Производитель автоматикиGOFORD SEMICONDUCTOR
АртикулG12P10TE
РазделПолупроводники
Единицашт
Фото товара

GOFORD SEMICONDUCTOR G12P10TE — Транзисторы с каналом P THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.
О модели

Описание

Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -100В; -12А; 44,6Вт; TO220

Перед заказом проверьте артикул G12P10TE, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Единица продажи
шт
Артикул производителя
G12P10TE
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.

Подбор по фотоШильдик и описание Загрузить BOMXLS, XLSX, DOCX, CSV