GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G12P10KE — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: G12P10KE
Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -100В; -12А; 45Вт; TO252; ESD
Монтаж: SMD · Корпус: TO252 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G12P10KE. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO252; Напряжение сток-исток — -100В; Ток стока — -12А.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 45Вт; Полярность — полевой; Версия — ESD.
Заряд затвора — 32нC; Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул G12P10KE, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO252
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G12P10KE
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
