GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G11S — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: G11S
Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -11А; 3,3Вт; SOP8
Монтаж: SMD · Корпус: SOP8 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G11S. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOP8; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -11А.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 3,3Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 47нC.
Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В.
Перед заказом проверьте артикул G11S, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOP8
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G11S
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
