GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G10N10A — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: G10N10A
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Ток стока: 10 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO252 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G10N10A — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 10 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO252.
Напряжение сток-исток — 100В; Рассеиваемая мощность — 28Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 15,5нC.
Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул G10N10A, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 10 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G10N10A
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
