GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G09P02L — Транзисторы с каналом P SMD
MPN / артикул: G09P02L
Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -9А; 2,5Вт; SOT23
Монтаж: SMD · Корпус: SOT23 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G09P02L. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — SOT23; Напряжение сток-исток — -20В; Ток стока — -9А.
Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 2,5Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 72нC.
Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±12В.
Перед заказом проверьте артикул G09P02L, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SOT23
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G09P02L
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
