GOFORD SEMICONDUCTOR
· Полупроводники
GOFORD SEMICONDUCTOR G070N06TH — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: G070N06TH
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 60В; 110А; 160Вт; TO220
Ток стока: 110 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
GOFORD SEMICONDUCTOR G070N06TH — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 110 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220.
Напряжение сток-исток — 60В; Рассеиваемая мощность — 160Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 74нC.
Технология — Trench; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул G070N06TH, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 110 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- G070N06TH
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
